Регионална библиотека "Любен Каравелов" - Русе

Amazon изображение на корицата
Изображение от Amazon.com
Изображение от Google Jackets
Нормален изглед MARC изглед ISBD изглед

Силови полупроводникови прибори MOSFET и IGBT транзистори : Действие, структури, характеристики, параметри, загуби и особености при управл. Николай Димитров Маджаров; съавт. Стефан Колев Станев.

От: Сътрудник(ци): Вид материал: ТекстТекстЕзик: Български Подробности за публикацията: Унив. изд. Васил Априлов 2003Описание: 80 с. със сх., черт., диагр. 21 смISBN:
  • 954-683-215-4
Предмет(и): Онлайн ресурси:
Вид библиотечен документ: Книги
Маркерите от тази библиотека: Няма маркери от тази библиотека за това заглавие. Влезте, за да добавите маркери.
Вашата оценка
    Рейтинг: 0.0 (0 гласове)
Наличности
Основна библиотека Сигнатура Номер на копие Статус Баркод
Регионална библиотека "Любен Каравелов" Русе Хранилище Цб 226953 (Разгледайте рафт(Отваря се отдолу)) 1 ползва се в читалня (без рестрикции) 120000700949
Общо Резервации: 0

Библиогр. с. 79-80

79-80

Няма коментари за това заглавие.

да публикувате коментар.
Vip Innovations Ltd, Rousse, Bulgaria 2025