000 01705nam a2200361 c 4500
003 BLK
005 20180422101855.0
008 180408b bul|||||r ||||||| ||bul||
010 _aKNG00059078000
020 _a954-683-215-4
_bиздат.: Унив. изд. Васил Априлов
040 _aBLK
041 _aBUL
_cBUL
080 _aПолупроводникови триоди (транзистори)
_b621.382.3
_x(075.8)
_z621.382.3(075.8)
100 1 _aМаджаров, Николай Димитров
_eпърви автор
_9286000
700 1 _aСтанев, Стефан Колев
_eсъавт.
_9369102
139 _aМаджаров, Николай Димитров и др.
_bМ 14
245 1 0 _aСилови полупроводникови прибори
_bMOSFET и IGBT транзистори : Действие, структури, характеристики, параметри, загуби и особености при управл.
_cНиколай Димитров Маджаров; съавт. Стефан Колев Станев.
257 _aBGR
260 Габрово
_bУнив. изд. Васил Априлов
_c2003
300 _a80 с.
_bсъс сх., черт., диагр.
_c21 см
380 _a62
500 _aБиблиогр. с. 79-80
504 _a79-80
650 4 _aПолупроводникови уреди - учебници за ВУЗ
_9286001
650 4 _aТранзистори - учебници
_9268259
653 _aтранзистори
653 _aучебници за ВУЗ
852 _aЦб 226953
856 4 _qpdf
_u
856 4 _qpdf
_u
942 _cKNG
_n0
944 _aCR
_c28.03.2006
_kГеновева_Генчева
944 _aED
_c12.04.2006
_k
999 _c55113
_d55113